90WCu / Tungsten Copper 90/10 Heat Sink do elektronicznego pakowania
Opis:
Opakowanie elektroniczne ma na celu umieszczenie określonej funkcji scalonych układów scalonych (w tym układów scalonych scalonych półprzewodników, cienkowarstwowego substratu układu scalonego, hybrydowych układów scalonych) umieszczonych w odpowiednim pojemniku skorupowym, który może zapewnić stabilne środowisko dla ochrony pracy chipów w sposób normalny i utrzymuj stabilne funkcje w obwodzie scalonym. W tym samym czasie enkapsulacja jest również metodą połączenia wyprowadzania i wprowadzania w celu przejścia na zewnątrz, i może tworzyć kompletną całość z żetonami.
Materiał radiatora W-Cu jest kompozytem z wolframu i miedzi, ma zarówno niską charakterystykę rozprężania wolframu, ale także ma wysoką przewodność cieplną miedzi, a wolfram i miedź w współczynniku rozszerzalności cieplnej i przewodności cieplnej można regulować za pomocą W -Cu kompozycji, również kompozyt można obrabiać do różnych kształtów.
Zalety:
1. Wysoka przewodność cieplna
2. Doskonała hermetyczność
3. Doskonała płaskość, wykończenie powierzchni i kontrola rozmiaru
4. Dostępne są półprodukty lub gotowe (pokryte niklem / Au)
5. Niska pustka
Właściwości produktu:
| Stopień | Treść W | Gęstość g / cm 3 | Współczynnik termiczny Rozbudowa × 10 -6 (20 ℃) | Przewodność cieplna W / (M · K) |
| 90WCu | 90 ± 2% | 17,0 | 6.5 | 180 (25 ℃) / 176 (100 ℃) |
| 85WCu | 85 ± 2% | 16.4 | 7.2 | 190 (25 ℃) / 183 (100 ℃) |
| 80WCu | 80 ± 2% | 15.65 | 8.3 | 200 (25 ℃) / 197 (100 ℃) |
| 75WCu | 75 ± 2% | 14.9 | 9.0 | 230 (25 ℃) / 220 (100 ℃) |
| 50WCu | 50 ± 2% | 12.2 | 12.5 | 340 (25 ℃) / 310 (100 ℃) |
Podanie:
Kompozyty te są szeroko stosowane w aplikacjach, takich jak Pakiety Optoelektroniczne, Pakiety Mikrofalowe, Pakiety C, Podmontaż laserowy. itp.
Zdjęcie produktu:
